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Atomistic modeling of Ge damage accumulation, amorphization and solid phase epitaxial regrowth PDF

188 Pages·2015·4.46 MB·English
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Universidad Politécnica de Madrid Escuela Técnica Superior de Ingenieros de Caminos, Canales y Puertos Atomistic modeling of Ge damage accumulation, amorphization and solid phase epitaxial regrowth Tesis doctoral José Luis de Gómez-Sellés Ortuño Licenciado en Ciencias Físicas 2015 Departamento de Ciencia de Materiales Escuela Técnica Superior de Ingenieros de Caminos, Canales y Puertos Universidad Politécnica de Madrid Atomistic modeling of Ge damage accumulation, amorphization and solid phase epitaxial regrowth Tesis doctoral José Luis de Gómez-Sellés Ortuño Licenciado en Ciencias Físicas Directores de la tesis Ignacio Martín Bragado Dr. en Ciencias Físicas Javier Segurado Escudero Dr. Ingeniero de Materiales Profesor Titular de la Universidad 2015 Tribunal nombrado por el Sr. Rector Magfco. de la Universidad Politécnica de Madrid, el día...............de.............................de 20.... Presidente: Vocal: Vocal: Vocal: Secretario: Suplente: Suplente: Realizado el acto de defensa y lectura de la Tesis el día..........de........................de 20... en la E.T.S.I. /Facultad.................................................... Calificación .................................................. EL PRESIDENTE LOS VOCALES EL SECRETARIO a Papá, porque en silencio te lo prometí. “Wir reiten in die Kreuz und Quer Nach Freuden und Geschäften Doch immer kläfft es hinterher Und bellt aus allen Kräften. So will der Spitz aus unserm Stall Uns immerfort begleiten, Und seines Bellens lauter Schall Beweist nur, daß wir reiten”. — Johann W. von Goethe. Kläffer (1808).

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mí para empezar este proyecto, y al Instituto IMDEA Materiales por financiar y apoyar la .. Chapter 1. Introduction implantation and Solid Phase Epitaxial Regrowth (SPER) processes in Ge. The simulator shall also be calibrated to reproduce well modules to control the space, time and defects.
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