MCP3421 2 带 I C 接口和片内参考的 18 位模数转换器 特性 概述 • SOT-23-6封装的18位 ADC MCP3421为单通道低噪声、高精度、差分输入 A/D • 差分输入 转换器,分辨率高达18位,提供微型SOT-23-6封装。 片上精密 2.048V 参考电压使得差分输入电压范围为 • 每次转换对内部失调和增益自校正 ±2.048V(电压 = 4.096V)。该器件使用2线I2C兼 • 片内参考电压: 容串行接口,并采用2.7V至5.5V单电源供电。 - 精度:2.048V± 0.05% 用户通过2线I2C串行接口对控制配置位进行设定,从 - 漂移:15ppm/°C 而MCP3421器件可按3.75、15、60或240采样/秒 • 片内可编程增益放大器(Programmable Gain (SPS)速率进行转换。该器件具有片内可编程增益放 Amplifier,PGA): 大器(PGA),用户可在转换开始之前选择 PGA 增益 - 增益为1、2、4或8 为x1、x2、x4或x8。因此MCP3421在转换很小的输 • 片内振荡器 入信号时仍可保持高分辨率。该器件提供两种转换模 • INL:满量程FSR的10ppm 式:a) 连续转换模式; b) 单次转换模式。在单次转换 (FSR = 4.096V/PGA) 模式下,器件在完成一次转换后自动进入低电流待机模 式,这样可显著降低空闲期间的电流消耗。 • 可编程数据率选项: - 3.75SPS(18位) MCP3421 器件特别适合需要设计简单、低功耗和节省 空间的各种高精度模/数转换应用。 - 15SPS(16位) - 60SPS(14位) 框图 - 240SPS(12位) V V • 单次或连续转换选项 SS DD • 低电流消耗: - 145µA(典型值) 参考电压 (V = 3V,连续转换) DD (2.048V) - 39µA(典型值) (VDD= 3V,单次转换,1SPS) 增益 = 1、2、4 或 8 VREF • 支持I2C串行接口: V + IN - 标准、快速和高速模式 ADC 时钟 • 单电源供电:2.7V至5.5V PGA 转换器 振荡器 • 扩展级温度范围:-40°C至+125°C V - IN 典型应用 • 便携式仪表 I2C接口 • 电子秤和电量计 • 使用RTD、热敏电阻和热电偶的温度测量 SCL SDA • 测量压力、张力和应变的电桥 封装形式 SOT-23-6 MCP3421 VIN+ 1 6 VIN- VSS 2 5 VDD SCL 3 4 SDA 2010 Microchip Technology Inc. DS22003E_CN第 1页 MCP3421 注: DS22003E_CN第 2页 2010 Microchip Technology Inc. MCP3421 1.0 电气特性 † 注:如果器件的工作条件超过上述“绝对最大值”,可能对 器件造成永久性损坏。上述数值为运行条件最大值,我们建议 不要使器件在此规范规定的范围以外运行。如果器件长时间工 1.1 绝对最大值† 作在绝对最大额定值条件下,其可靠性会受到影响。 V ...................................................................................7.0V DD 相对于VSS所有输入和输出电压 ............ –0.3V至VDD+0.3V 差分输入电压........................................................|V - V | DD SS 输出电路电流.................................................................. 连续 输入引脚电流................................................................±2mA 输出和电源引脚电流....................................................±10mA 存储温度.......................................................-65°C至+150°C 加电时的环境温度........................................-55°C至+125°C 所有引脚ESD保护6kV HBM,400V MM 最高结温(T )...........................................................+150°C J 1.2 电气规范 电气特性 电气规范:除非另外说明,否则所有参数的适用条件为:T = -40°C至+85°C,V = +5.0V,V = 0V,V + = V - = V /2。 A DD SS IN IN REF 所有ppm单位使用的满量程为2*V 。 REF 参数 符号 最小值 典型值 最大值 单位 条件 模拟输入 差分输入范围 — ±2.048/PGA — V VIN = VIN+ - VIN- 共模电压范围(绝对值) VSS-0.3 — VDD+0.3 V (注1) 差分输入阻抗 (注2) ZIND (f) — 2.25/PGA — M 在正常模式操作期间 共模输入阻抗 ZINC (f) — 25 — M PGA = 1、2、4和8 系统性能 分辨率和无丢失码(注8) 12 — — Bits DR = 240SPS 14 — — Bits DR = 60SPS 16 — — Bits DR = 15SPS 18 — — Bits DR = 3.75SPS 数据率(注3) DR 176 240 328 SPS S1,S0 = ‘00’,(12 位模式) 44 60 82 SPS S1,S0 = ‘01’,(14位模式) 11 15 20.5 SPS S1,S0 = ‘10’,(16位模式) 2.75 3.75 5.1 SPS S1,S0 = ‘11’,(18位模式) 输出噪声 — 1.5 — µVRMS TA = +25°C,DR = 3.75 SPS, PGA = 1,V = 0 IN 积分非线性度(注4) INL — 10 35 FSR的 DR = 3.75 SPS ppm (注6) 内部参考电压 VREF — 2.048 — V 注 1: 低于或超过此电压值的任意输入电压将导致泄漏电流流过输入引脚ESD二极管。 此参数为特征参数,未经100%测试。 2: 输入阻抗是由内部3.2pF的输入采样电容产生的。 3: 总转换速度包括自动失调和增益校正过程。 4: INL是端点线与量化带宽中点测量码之差。 5: 包括由片内PGA和V 引起的所有误差。 REF 6: 满量程(FSR) = 2 x 2.048/PGA = 4.096/PGA。 7: 该参数为特征参数,未经100%测试。 8: 该参数由设计确保,未经100%测试。 2010 Microchip Technology Inc. DS22003E_CN第 3页 MCP3421 电气特性(续) 电气规范:除非另外说明,否则所有参数的适用条件为:T = -40°C至+85°C,V = +5.0V,V = 0V,V + = V - = V /2。 A DD SS IN IN REF 所有ppm单位使用的满量程为2*V 。 REF 参数 符号 最小值 典型值 最大值 单位 条件 增益误差 (注5) — 0.05 0.35 % PGA = 1,DR = 3.75 SPS PGA增益误差匹配 (注5) — 0.1 — % 任意两个PGA增益之间 增益误差偏移(注5) — 15 — ppm/°C PGA=1,DR=3.75 SPS 失调误差 VOS — 15 40 µV 在PGA = 1、VDD = 5.0V 且DR = 3.75 SPS时测试 失调漂移—温度 — 50 — nV/°C VDD = 5.0V 共模抑制比 — 105 — dB 直流,PGA =1, — 110 — dB 直流,PGA =8,T = +25°C A 增益—VDD — 5 — ppm/V TA = +25°C, V = 2.7V至 5.5V,PGA = 1 DD 直流电源抑制比 — 100 — dB TA = +25°C, V = 2.7V至5.5V,PGA = 1 DD 电源要求 电压范围 VDD 2.7 — 5.5 V 转换期间的电源电流 IDDA — 155 190 µA VDD = 5.0V — 145 — µA V = 3.0V DD 待机模式下的电源电流 IDDS — 0.1 0.5 µA I2C数字输入和数字输出 高电平输入电压 VIH 0.7 VDD — VDD V 低电平输入电压 VIL — — 0.3VDD V 低电平输出电压 VOL — — 0.4 V IOL = 3mA,VDD = +5.0V 输入端施密特触发器迟滞 V 0.05V — — V f = 100kHz HYST DD SCL (注7) I2C 总线活动时电源电流 I — — 10 µA DDB 输入泄漏电流 IILH — — 1 µA VIH = 5.5V I -1 — — µA V = GND ILL IL 引脚电容和I2C总线电容 引脚电容 CPIN — — 10 pF I2C总线电容 Cb — — 400 pF 注 1: 低于或超过此电压值的任意输入电压将导致泄漏电流流过输入引脚ESD二极管。 此参数为特征参数,未经100%测试。 2: 输入阻抗是由内部3.2pF的输入采样电容产生的。 3: 总转换速度包括自动失调和增益校正过程。 4: INL是端点线与量化带宽中点测量码之差。 5: 包括由片内PGA和V 引起的所有误差。 REF 6: 满量程(FSR) = 2 x 2.048/PGA = 4.096/PGA。 7: 该参数为特征参数,未经100%测试。 8: 该参数由设计确保,未经100%测试。 DS22003E_CN第 4页 2010 Microchip Technology Inc. MCP3421 温度特性 电气特性:除非另外说明,否则T = -40°C至+85°C,V = +5.0V,V = 0V。 A DD SS 参数 符号 最小值 典型值 最大值 单位 条件 温度范围 规定温度范围 T -40 — +85 °C A 工作温度范围 T -40 — +125 °C A 存储温度范围 T -65 — +150 °C A 封装热阻 热阻,6引脚SOT-23 JA — 190.5 — °C/W 2010 Microchip Technology Inc. DS22003E_CN第 5页 MCP3421 注: DS22003E_CN第 6页 2010 Microchip Technology Inc. MCP3421 2.0 典型工作特性曲线 注: 以下图表为基于有限数量样本所作的统计,仅供参考。所列特性未经测试,我公司不作任何担保。在一些 图表中,所列数据可能超出规定的工作范围(如:超出规定的电源电压范围),因而不在担保范围内。 注:除非另外声明,否则T = -40°C至+85°C,V = +5.0V,V = 0V,V + = V - = V /2。 A DD SS IN IN REF .005 10.0 R) TA = +25°C FS VDD = 5V PGA = 1 % of .004 ms) 7.5 PGA = 2 onlinearity (..000023 PGA P=G 1A =P 4GA =P G2A = 8 Noise (µV, r 25..50 PGPGAA = =8 4 N.001 al gr e.000 0.0 nt I 2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5 -100 -75 -50 -25 0 25 50 75 100 VDD (V) Input Voltage (% of Full-Scale) 图2-1: INL—电源电压(V )曲线 图2-4: 输出噪声—输入电压曲线 DD 3.0 PGA = 1 Integral Nonlinearity (% of FSR) 000...000000123 PGA = 1VDD = 5 V VDD = 2.7V Total Error (mV) --01221.....00000 PPPGGGAAA === 284 0 -3.0 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100120140 -100 -75 -50 -25 0 25 50 75 100 Temperature (oC) Input Voltage (% of Full-Scale) 图2-2: INL—温度曲线 图2-5: 总误差—输入电压曲线 20 0.4 15 VDD = 5V 0.3 VDD = 5.0V or (µV) 105 PGA = 2 PGA = 4 PGA = 8 % of FSR) 00..12 PGA = 2PGA = 1 Offset Err -1-050 PGA = 1 n Error ( --00..210 -15 Gai -0.3 PGA = 4 PGA = 8 -20 -0.4 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 Temperature (°C) Temperature (°C) 图2-3: 失调误差—温度曲线 图2-6: 增益误差—温度曲线 2010 Microchip Technology Inc. DS22003E_CN第 7页 MCP3421 注:除非另外声明,否则T = -40°C至+85°C,V = +5.0V,V = 0V,V + = V - = V /2。 A DD SS IN IN REF 220 5 200 4 (µA)DA 116800 VDD = 5V or Drift (%) 23 ID 140 VDD = 2.7V cillat 1 VDD = 2.7V 120 Os 0 VDD = 5.0V 100 -1 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 Temperature (oC) Temperature (°C) 图2-7: I —温度曲线 图2-10: OSC漂移—温度曲线 DDA 0 600 -10 Data Rate = 3.75 SPS 500 -20 I (nA)DDS 234000000 nitude (dB) -----7654300000 100 VDD = 5V Mag --9800 VDD = 2.7V -100 0 -110 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100120140 -120 00..11 11 1010 101000 11k000 1010k000 Temperature (oC) Input Signal Frequency (Hz) 图2-8: I —温度曲线 图2-11: 频率响应 DDS 9 8 VDD = 5V 7 VDD = 4.5V 6 A) (cid:2) 5 (B 4 VDD = 3.3V D D I 3 2 VDD = 2.7V 1 0 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 Temperature (oC) 图2-9: I —温度曲线 DDB DS22003E_CN第 8页 2010 Microchip Technology Inc. MCP3421 3.0 引脚说明 引脚说明如表3-1所示。 表3-1: 引脚功能表 MCP3421 符号 说明 1 V + 正差分模拟输入引脚 IN 2 V 接地引脚 SS 3 SCL I2C接口的串行时钟输入引脚 4 SDA I2C接口双向串行数据引脚 5 V 正电源引脚 DD 6 V - 负差分模拟输入引脚 IN 3.1 模拟输入(V +和V -) 3.2 电源电压(V 和V ) IN IN DD SS V +和V -为差分信号输入引脚。MCP3421器件接受 V 是器件的电源引脚。这个引脚需要与地之间接一个 IN IN DD 完全差分模拟输入信号,该信号连接到V +和V -输 约0.1µF的陶瓷旁路电容。在许多应用中建议另外并联 IN IN 入引脚。被转换的差分电压定义为V = (V + - V -), 一个10µF钽电容,以进一步衰减高频噪声。正常工作 IN IN IN 其中 V + 为施加到 V + 引脚的电压,V - 为施加到 要求电源(V )保持在2.7V至5.5V范围内。 IN IN IN DD V -引脚的电压。用户也可以将V -引脚连接到V 进 IN IN SS V 是接地引脚和器件的电流返回通路。用户需通过低 SS 行单端操作。关于差分和单端连接的示例,请参见图6- 阻抗走线将 V 引脚连接到地平面。如果印刷电路板 4。 SS (PCB)上存在模拟接地面,强烈建议将V 引脚连接 SS 输入信号在转换前被可编程增益放大器(PGA)放大。 到模拟地回路或利用模拟地平面进行隔离。 为了保证精度,差分输入电压绝对值不能超过 (VREF/PGA),其中VREF为内部参考电压(2.048V), 3.3 串行时钟引脚(SCL) PGA 为 PGA 增益设定值。如果输入电压范围超过 (V /PGA),转换器输出代码将为其饱和值。 SCL是I2C接口串行时钟引脚。MCP3421只可以是从 REF 器件,SCL引脚只接受外部串行时钟。来自主器件的输 每个输入引脚上的绝对电压范围为 V -0.3V 至 SS 入数据在 SCL 时钟的上升沿移入 SDA 引脚,同样在 V +0.3V。低于下限或高于上限的电压,都将产生泄漏 DD SCL时钟的下降沿,MCP3421通过SDA引脚输出数 电流,该电流流经输入引脚静电放电(Electrostatic 据。SCL引脚为漏极开路N沟道驱动器,因此SCL引 Discharge,ESD)二极管。ESD泄漏电流将发生器件 脚至V 线间需要一个上拉电阻。更多关于I2C串行接 无法预料的操作。应当选择恰当的共模模拟输入,使得 DD 口通信的信息,请参见第5.3节“I2C串行通信”。 每个引脚上差分模拟输入和绝对电压都在第1.0节“电 气特性”和第4.0节“器件工作概述”中规定的工作范 围之内。 关于输入电压范围的更多详细信息,请参见第 4.5 节 “输入电压范围” 。 图3-1所示为器件的输入结构。器件在前端采用了一个 开关电容输入级。C 是封装引脚电容,其典型值约为 PIN 4pF。D 和D 为ESD二极管。C 是差分输入 1 2 SAMPLE 采样电容。 2010 Microchip Technology Inc. DS22003E_CN第 9页 MCP3421 3.4 串行数据引脚(SDA) SCL 和 SDA 上拉电阻的典型值范围在标准模式 (100kHz)和快速模式(400kHz)下为5k至10k; SDA为I2C接口串行数据引脚。SDA引脚用于数据输 在高速模式(3.4MHz)下小于1k。在V 小于2.7V 入和输出。在读模式,从 SDA 引脚读取(输出)转换 DD 时,不建议使用高速模式。 后的结果。在写模式,通过 SDA 引脚写(输入)器件 配置位。SDA 引脚为漏极开路 N 沟道驱动器 , 因此, SDA 引脚至 V 线间需要一个上拉电阻。除了启动和 DD 停止条件,SDA引脚的数据必须在时钟为高电平期间保 持稳定。SDA引脚电平状态只能在SCL引脚的时钟信 号为低电平时改变。更多关于I2C串行接口通信的信息, 请参见第5.3节“I2C串行通信”。 V DD 采样开关 RSS VIN+,VIN- D1 VT = 0.6V SS RS V 4CPpIFN D2 VT = 0.6V (ILE~A±K1AGnEA) (CS3A.2MpPFLE) V SS 图注: V = 信号源 I = 模拟引脚处的泄漏电流 LEAKAGE R = 源阻抗 SS = 采样开关 SS V +,V - = 模拟输入引脚 R = 采样开关电阻 IN IN S C = 输入引脚电容 C = 采样电容 PIN SAMPLE V = 阈值电压 D ,D = ESD保护二极管 T 1 2 图3-1: 等效模拟输入电路 DS22003E_CN第 10页 2010 Microchip Technology Inc.
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