Lexikon der Elektronik

823 Pages·1983·34.194 MB·German

by  Prof. Dr. rer. nat. O. Neufang (auth.), Prof. Dr. rer. nat. O. Neufang (eds.)

O. Neufang (Hrsg.)
Lexikon
der
Elektronik
LEXIEON DEB ELEETBONIE
Herausgeber: Prof. Dr. rer. nat. O. Neufang
Unter Mitarbeit von:
Prof. Dr. rer. nat. B. Blum, Rhein. Fachhochschule Koln
Dipl.-Ing. W. Fleischhauer, Rhein. Fachhochschule Koln
Prof. Dipl.-Ing. U. Gerlach, Fachhochschule Dusseldorf
Prof. Dr.-Ing. P. Kuhn, Universitat Stuttgart
Prof. Dr.-Ing. U. Kunz, Universitat-GH-Siegen
Dipl.-Phys. W. Link, b. i. b. Paderborn
Prof. Dr. rer. nat. H. Ruhl, Universitat-GH-Siegen
Dipl.-Ing. A. Thiel, PTB Braunschweig
Dipl.-Ing. P. Welzel, b.i.b. Paderborn
o.
NEUFANG (Hrsg.)
LEXIKON
DEB
ELEKTRONIK
Mit 676 Abbildungen
Friedr. Vieweg & Sohn Braunschweig / Wiesbaden
Verlagsredaktion: Alfred Schubert
Aile Rechte vorbehalten
© Friedr. Vieweg & Sohn Verlagsgesellschaft mbH, Braunschweig 1983
Softcover reprint of the hardcover 1st edition 1983
Die Vervielfiiltigung und Obertragung einzelner Textabschnitte, Zeichnungen oder Bilder, auch fUr
Zwecke der Unterrichtsgestaltung, gestattet das Urheberrecht nur, wenn sie mit dem Verlag vorher
vereinbart wurden. 1m Einzelfall mul1 tiber die Zahlung einer Gebtihr fUr die Nutzung fremden
geistigen Eigentums entschieden werden. Das gilt fUr die Vervielfaltigung durch aile Verfahren
einschliel1lich Speicherung und jede Obertragung auf Papier, Transparente, Filme, Bander, Platten
und andere Medien.
Satz: Vieweg, Braunschweig
Druck: CW Niemeyer, Hameln
Buchbinderische Verarbeitung: Hunke & Schroder, Iserlohn
ISBN-13: 978-3-528-04099-4 e-ISBN-13: 978-3-322-83515-4
DOl: 10.1007/978-3-322-83515-4
v
Vorwort
Mit Erfindung des Bipolartransistors am 24.12.1947 wurde eine neue Epoche der Elek
tronik eingeleitet, die zur Entwicklung von Halbleiterdioden, verbesserten Strukturen von
Bipolartransistoren, Bauelementen mit Metall-Halbleiteriibergangen, Feldeffekttransisto
ren, optoelektronischen Bauelementen, integrierten Strukturen u. a. m. flihrte. Heute ist
man in der Lage, auf einem Halbleiterplattchen von wenigen Millimetern Kantenlange
mehr als 200000 Einzelbauelemente unterzubringen. Die Entwicklungen der Zukunft
streben noch hahere Integrationsdichten an. Insbesondere wird man jedoch bemtiht sein,
die Verzagerungszeiten einer Einzelsttuktur in einer integrierten Schaltung zu verringern.
Nachdem die minimale Verzagerungszeit seit nun tiber 10 Jahren bei etwa 1 ns liegt, wird
es vielleicht schon Mitte der BOer Jahre kommenielle Bausteine mit Verzagerungszeiten
im Bereich 50 ps geben.
Ein Lexikon der Elektronik darf sich jedoch nicht nur der Halbleiterelektronik und ihren
Bauelementen widmen. Es miissen auch deren Grundlagen behandelt werden. Hierzu
gehOrt die Darstellung sowohl der elektrotechnischen Grundlagen (im weitesten Sinne)
als auch der Halbleiterphysik.
Wenn man bedenkt, d~ in den 70er Jahren mehr als 40000 Zeitschriftenartikel auf dem
Halbleitergebiet verOffentlicht wurden (im Jahre 1970 waren es 2700 und im Jahre 1979
5500 mit steigender Tendenz), kann ein einbandiges Lexikon der Elektronik nur die
wichtigsten Begriffe, die zum verstandnisvollen Lesen der Fachliteratur notwendig sind,
abhandeln.
Das vorliegende Lexikon der Elektronik gliedert sich in folgende vier Abschnitte:
Einen lexikographischen Teil, in dem die Fachgebiete Angewandte Elektronik, Digital
elektronik, Elektrische Energietechnik, Elektrische Filter, Elektrische Me~technik,
Elektronische Bauelemente, Elektronische Datenverarbeitung, Elektrophysik, Feld
theorie, Halbleiterelektronik, Halbleiterphysik, Hachstfrequenztechnik, Informa
tionsverarbeitung, Integrierte Schaltungen, Nachrichtentechnik, Nachrichtentiber
tragungstechnik, Nachrichtenvermittlung, Netzwerktheorie, Optoelektronik, Proze~
rechentechnik, Regelungstechnik behandelt werden.
- Ein Uteraturverzeichnis, in dem aus Platzgriinden ausschlie~lich Bticher aufgeftihrt sind.
Ein englisch-deutsches Begriffslexikon, das fUr die gra~te Anzahl der im lexikographi
schen Teil abgehandelten deutschen Begriffe ein englisches Xquivalent enthiilt. Das
Warterbuch solI auch dazu dienen, beim Lesen englischsprachiger Uteratur die Bedeu
tung unbekannter Begriffe nachlesen zu kannen.
- Einen Anhang mit englischsprachigen Abktirzungen, die sonst nur tiber Spezialliteratur
ermittelt werden kannen.
VI
Es wurde versucht, die Begriffe und Defmitionen mit den Normen des DIN bzw. anderer
Fachgesellschaften (z. B. NIG, IEEE) in Einklang zu bringen. Da sich die Terminologie
technisch aktueller Gebiete stan dig andert, befinden sich an verschiedenen Stellen be
schriebene Normen nicht immer in voller Dbereinstimmung. Beim Zitieren von DIN
Normen wurde die manchmal schwerHillige sprachliche Formulierung iibernommen.
Obwohl fUr viele angloamerikanischen Begriffe ein deutschsprachiges Aquivalent besteht,
wurden die angloamerikanischen Begriffe - oft in den gewohnten Abkiirzungen - auf
genommen, weil sie (bedauerlicherweise) in der deutschen Fachliteratur Eingang gefunden
haben.
Der Herausgeber ist den Mitarbeitern - ein jeder Spezialist auf den von ihm bearbeiteten
Gebieten - dieses Elektroniklexikons zu tiefem Dank verpflichtet, da jeder einzelne sehr
viele Stunden seiner Freizeit geopfert hat. Dem Vieweg Verlag und insbesondere dem
Lektor Herrn A. Schubert sei fUr den reibungslosen Ablauf bei der Entstehung dieses
Lexikons gedankt.
Es ist dem Verlag und dem Herausgeber klar, daB bei der Breite der Gebiete und dem
Umfang des Lexikons einzelne Wiinsche offenbleiben miissen. Wir sind deshalb sehr
dankbar, wenn aus dem Leserkreis Anregungen hinsichtlich Erganzungen und Verbesse
rungen des Lexikons der Elektronik als einbandiges Werk an uns herangetragen werden.
0. Neufang
1m Marz 1983
VII
Hinweise fur den Benutzer
1. Die Stichworte sind alphabetisch aufgeflihrt.
2. Urnlaute werden wie die Buchstaben a, 0, u behandelt. Beispiel: "FIUssigkeit" steht
zwischen "Flu~dichte" und "Flu~messer".
3. Zusammengesetzte Stichworte sind unter dem Substantiv zu fmden. Beispiel: "diffe
rentielle Permeabilitiit" wird unter "Permeabilitiit, differentielle" abgehandelt.
4. Wissenschaftliche Bezeichnungen, die mit dem Begriff "Photo" zusammenhiingen, sind
unter "Ph", nicht unter "F" aufgeflihrt.
5. pfeile besagen, d~ das mit pfeil versehene Stichwort gesondert abgehandelt wird.
6. Geschtitzte Warenzeichen der Handelsnamen sind nicht besonders gekennzeichnet.
7. Abktirzungen werden in Anlehnung an den Duden verwendet.
8. Bei den irn Literaturverzeichnis aufgeflihrten Jahreszahlen handelt es sich jeweils urn
das Erscheinungsjahr der letzten Auflage.
Sie finden:
Lexikographischer Tell Seite 1
Literaturverzeichnis Seite 649
Englisch-deutsches Begriffslexikon Seite 707
Englischsprachige Abktirzungen Seite 757
VIII
Verzeichnis der Mitarbeiter, ihre Kurzel sowie die von
ihnen bearbeiteten Sachgebiete
Prof. Dr. rer. nat. B. Blum (Bl) Halbleiterelektronik, Halbleiterphysik
Dipl.-Ing. W. Fleischhauer (Fl) Angewandte Elektronik, Elektrische Me~technik
Prof. Dipl.-Ing. U. Gerlach (Ge) Drahtlose Nachrichteniibertragungstechnik,
Hochstfrequenztechnik, Passive Elektronische
Bauelemente
Prof. Dr.-Ing. Ktihn (Kii) Nachrichtenvermittlung, Rechner- und
Datenkomrnunikation
Prof. Dr.-Ing. U. Kunz (Ku) Elektrische Energietechnik, Regelungstechnik
Dipl.-Phys. W. Link (Li) Digitalelektronik, Elektronische Datenverarbeitung,
Elektronische Schaltungstechnik, Informationsver
arbeitung, Integrierte Schaltungen, Optoelektronik
Prof. Dr. rer. nat. O. Neufang (Ne) Aktive Elektronische Bauelemente, Integrierte
Schaltungen, Optoelektronik
Prof. Dr. rer. nat. H. Riihl (Rii) Elektrische Filter, Elektrophysik, Feldtheorie,
Grundlagen der Elektrotechnik, Netzwerktheorie,
Nachrichtentechnik (allgemein),
Dipl.-Ing. A. Thiel (Th) Drahtgebundene Nachrichtentechnik, Nachrichten
iibertragungstechnik
Dipl.-Ing. P. Welzel (We) Digitaltechnik, Elektronische Datenverarbeitung,
Informationsverarbeitung, Proze~rechentechnik
A
Abbau von Polen (removal ofp oles). .... Polabspaltung. Rii weite und der Verteilung der Einzelbrechkrlifte irn
System abhlingig. Verminderung der A. bei einer Sammel
AB-Betriebsart (class AB operatum). Der Arbeitspunkt des
linse durch bikonvexe Form. [5]. Rii
AB-Betriebes Jiegt irn unteren Bereich der Arbeitskenn
linie. Bei geringer Aussteuerung herrscht A-Betrieb Abfallerregung (drop power). Die Amperewindungszahl
(geringe Obernahmeverzerrungen bei Gegentaktschal der Relaisspule, bei der der Anker eines angezogenen
tung). Die Betriebsart ist gebrauchlich fUr NF-Gegen Relais in die Ruhelage zuriickkehrt. [4). Ge
taktverstiirker und HF-Linearverstarker. Stromflu~­
winkel i-< e < 11. [Ill, [13). Th Abfallstrom (drop current). Der die Relaisspule dorch
flie~ende Strom, bei dem der Anker eines angezogenen
A-Betriebsart (class A operation). Beirn A-Betrieb liegt der Relais in die Ruhelage zuriickkehrt. [4]. Ge
Arbeitspunkt in der Mitte des aussteuerbaren Bereiches
e Abfallverziigerung (release delay). Verllingerung der natiir
der Arbeitskennlinie. Stromflu~winkel: = 11. Die A.
wird hauptsiichlich fUr die Kleinsignalverstarkung ver· lichen Abfallzeit eines Relais mittels Kurzschlu~wick­
wendet. Bei geringer Aussteuerung bleiben die nicht lung, Kurzschl~ der Relaiswicklung irn Moment des
Abschaltens, Parallelschaltung eines Widerstandes, eines
linearen Verzerrungen ausreichend klein. [Ill, [13). Th
Kondensators oder einer Diode zur Relaisspule. [4]. Ge
Abbildungsfehler .... Astigmatismus. FI
Abfallzeit. 1. Relais (release time): a) Fiir die Arbeits
Abbildungsgeriite, elektronenoptische (electron optical kontakte ist die A. als die Zeit vom Moment des Ab
image devices). Elektronenoptische A. sind auf der schaltens der Spule bis zum Offnen des Kontaktes
Grundlage der Elektronenoptik arbeitende Gerate, die defmiert. b) Fiir die Ruhekontakte ist die A. die Zeit
entweder unter Ausnutzung des Energieinhaltes der vom Moment des Abschaltens der Spule bis zum Mo
Elektronen eines Elektronenstrahls iiber einen Leucht ment der Kontaktgabe (ohne Prellzeit). 2. Bipolar
schirm elektrische Signale in optische Signale umwan transistor (fall time): Zeit, in der der Kollektorstrom Ie
deln oder mit Hilfe eines Elektronenstrahls optische von 90 % auf 10 % seines Maxirnalwertes absinkt.
Signale in elektrische umsetzen. Ein Elektronenstrahl [4]. Ge/We
l~t sich unter Einwirkung elektrischer und magnetischer
Abfangdiode (clamping diode). Die A. wird zur Verbes
Felder iiber rotationssymmetrische Anordnungen von
serung der Flankensteilheit in Impulsschaltungen ver
Elektroden, ahnlich wie ein Lichtstrahl durch Linsen
wendet. Die A. "schneidet" aus einer hohen Impuls
systeme, ablenken und fokussieren (Beispiele: elektro
amplitude ein kleines Stiick heraus (Bilder 1 und 2).
nische Kameras, Elektronenmikroskop, Fernsehgerlite,
(10). Th
Datensichtgerlite und Sichtanzeigesysteme). Spezielle
elektronenoptische A. lassen iiber einen llingeren Zeit U, Uz UB
raum Informationsspeicherungen zu (z. B. Speicher
oszilloskop mit Speicherrtihre). [4], [5], [6], [7], [12],
[16]. FI
Abdichtung, hermetische (hermetic sealing). Abdichtung
von Bauelementen der Elektronik gegen Umweltein
fliisse. Die Abdichtung kann sich gegen Staub oder
Feuchtigkeit rich ten (z. B. bei Keramikgehliuse), aber
auch gegen elektromagnetische Felder durch eine Metall
Bild 1 Schaltung
ummantelung. Diese wird besonders bei elektromecha
nischen Komponenten angewendet, urn eine Ober
tragung von Sttirspannungen zu verhindern. (4). We
Aberration (aberration). Die A. ("Abirrung") kennzeichnet
bestimmte Abbildungsfehler optischer oder elektronen Uc
optischer Systeme. Au~er der sphlirischen A. ist die
chromatische A. - der Abbildungsfehler, der durch ver
UBr-----~----~-----­
schieden starke Brechung bei verschiedenen Farben her
Uzr---~------~.-----
vorgerufen wird - wichtig zur Kennzeichnung der Quali
tat eines optischen Systems. (5). Rii
Aberration, sphiirische (spherical aberration). Die sphii U, ~~------------~~­
rische A. ist ein Abbildungs(Offnungs)-fehler eines Uo~----------------~
optischen Systems. Die von einem Objektpunkt auf der
Achse ausgehenden Strahlen werden nicht in einem
Bildpunkt vereinigt. Die Grti~e der A. ist von der Brenn- Bild 2 Ausgangssigna I
Abfertigungsdisziplin 2
Abfertigungsdisziplin (service discipline). Reihenfolge der lassen sich durch Andern der Plattenoberflachen (Dreh
Bedienung von Anforderungen, z. B. Absuchen von kondensator) oder durch Andern der Lange (Trimmer
Leitungen in sequentieller Reihenfolge. Bedienen war kondensator) beeinflussen. Neben den mechanisch
tender Anforderungen.in Ankunftsreihenfolge FIFO abstimmbaren Bauteilen gibt es auch elektronisch
(first-in, first-out). Bedienen nach Prioritiiten u.a.m. veranderbare A.e, z. B. die Kapazitatsvariationsdiode,
[19]. Kii bei der eine Beeinflussung der Kapazitat durch die
Hohe der angelegten Riickwartsspannung erfolgt. Bei
Abfrage (request. inquiry). a) In der Datenferniibertra
Spulen kann eine Anderung der Induktivitat I. durch
gung die Aufforderung an ein angeschlossenes Ter
Verschieben z.B. eines Ferritkerns im Inneren der
minal, Daten zu senden oder zu empfangen, worauf
Spule (Variometer), 2. durch Verschieben einer be
das Terminal mit Senden bzw. Empfangen reagieren
weglichen Spule innerhalb einer oder mehrerer fest
oder melden kann, daB z.Z. keine Bereitschaft vor
angeordneter Spulen erfolgen oder 3. es befmdet
liegt. b) In Dialogsystemen das Abrufen bestimmter
sich zwischen den Polen eines Weicheisenmagneten
Informationen aufgrund von Abfragebegriffen, z.B.
eine Spule mit Masse- bzw. Ferritkern. Zu beachten
Namen oder Kontonummern. [1]. We
ist bei abgleichbaren Induktivitaten, dafl, mit einer
Abfragefrequenz (sampling frequency). Abtastfolge. Fol Speisespannungsanderung auch die Empfindlichkeit
gefrequenz von Nadelimpulsen mit einer Anstiegs beeinflufl,t wird. Bei abgleichbaren Transformatoren
zeit von etwa 0,3 ns zur stroboskopischen Beobach lafl,t sich die Sekundarspannung iiber Spulenanzapfun
tung schnellster periodischer Vorgange, z.B. bei Ab gen verandern, oder man verschiebt den Kern und
tastoszilloskopen (-+ Sampling-Verfahren). [9], [10], beeinflufl,t die Kopplung beider Spulen. [4], [8], [12],
[12], [14], [18]. FI [13]. FI
Abgleich (balancing, adjustment, tuning), Trimmen, Abgleichmotor -+ Nullmotor. FI
Anpassen, Angleichen. Ein Abstimmvorgang, der zur
Abgleichwiderstand (balancing resistor). Der A. ist ein
Einstellung festgelegter Parameter von Baugruppen,
als Abgleichelement eingesetzter Wirkwiderstand, dessen
Bauteilen oder Geratesystemen zur Erzielung einer
Widerstandswert veranderbar ist. Die Anderung kann
optimalen Wirkungsweise dient. Z. B. lafl,t sich ein
wie beim Potentiometer durch Verschieben eines Schlei
Verstarker mit geeigneten SchaltungsmaBnahmen (etwa
fers oder wie beim Dehnmefl,streifen durch Kraftein
Gegenkopplung) auf einen bestimmten Verstarkungsfak
wirkung erfolgen. Beim Photowiderstand wird durch
tor und Frequenzgang abgleichen. Der A. von Mefl,
Ausnutzung des inneren Photoeffektes der Widerstands
briicken (Briickenabgleich) unterliegt bestimmten Bedin
betrag unter Lichteinwirkung geandert. [4], [5], [7], [9],
gungen und dient der Verringerung der Mefl,unsicherheit.
[12], [13], [16]. FI
Ein A. von Diinnschicht-oder Dickschichtwiderstanden
auf den gewiinschten Widerstandswert erfolgt im allge Abklingkonstante (damping decrement). Der Faktor D
meinen wahrend der Herstellung nach mechanischen, oder 8 (DIN 1304) in der linearen homogenen Schwin
elektromechanischen, thermischen oder elektrochemi gungsdifferentialgleichung
schen Verfahren. Mtiglich ist auch ein A. mit Hoch d2z dz 2
spannungspulsen oder mit Laserstrahlen. [4], [6], [9], dt2 + 2 Ddt + Wo z = 0.
[12], [13], [14], [16]. Fl
(wo Kreisfrequenz). Wenn D> Wo, liegt der aperi
Abgleich, aufl,erer -+ Abgleich, externer. odische Fall VOl. Fiir D < Wo entsteht eine gedampf
Abgleich, extemer (extern balancing). Mit dem externen te harmon-ische Schwingung mit der Eigenfrequenz
A. lassen sich kompakte Gerate oder Baugruppen von w = vw~ D2. Die Grtifl,e A= D ·Tmit T= 2;heifl,t 10-
garithmisches Dekrement. [5] . Rii
aufl,en so auf vorgegebene Parameter abstimmen, daB
kein Schaltungseingriff vorgenommen werden mufl,. Abklingvorgang (decay). Zeitlicher Verlauf im Zustand
Bei Mefl,verstarkem lafl,t sich vielfach iiber einen ex eines Systems, das zur Zeit t = to eine Erregung er
ternen A. der Verstarkungsfaktor beeinflussen, wodurch fahren hat, wobei die Amplitude durch Dampfung
eine Obersteuerung verhindert wird. Einige Typen vermindert wird. [5]. Rii
von integrierten Operationsverstarkern besitzen zusatz
AbkIingzeit (decay time). Allgemein: die Zeitspanne,
liche Anschlufl,stifte, an die ein Abgleichelement -
in der ein AbkIingvorgang festgestellt werden kann.
meist ein Potentiometer von 10 krl - zur Kompensa
Speziell: 1. Lagerzeit fill radioaktive Substanzen, in
tion der an den Signaleingiingen auftretenden F ehl
der die Strahlung auf einen vorgegebenen Grenzwert
spannung angeschlossen werden kann, wodurch nach
abklingt. 2. Zeit, in der bei bestimmten Stoffen nach
erfolgtem Abgleich am Signalausgang keine Spannung
Aufhtiren der aufl,eren Lichtwirkung noch eine Phos-
vorhanden ist. [4], [12], [13]. FI
phoreszenz wahrnehmbar ist. [5]. Rii
Abgleichelement (balancing element). Das A. ist ein ab
stimmbares Bauteil, mit dem sich der Abgleich durch Abkiihlzeitkonstante -+ Heilileiter, -+ Kaltleiter. Ge
fooren lafl,t. Abgleichwiderstande (Potentiometer) be Ablaufgraph -+ Graph. We
sitzen einen veranderlichen Abgriff (Schleifer), durch
Ablaufsteuerung (sequence control). Zyklischer Prozefl,-
den der Gesamtwiderstand in Teilwiderstande aufge
ablauf, bei dem die Schrittfolge yom Eintreffen be-
gliedert wird. Die Kapazitatswerte von Kondensatoren