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Analysen fur Chalkogenid-Dunnschicht-Solarzellen: Theorie und Experimente PDF

215 Pages·2010·39.706 MB·German
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Andreas Stadler Analysen für Chalkogenid-Dünnschicht-Solarzellen VIEWEG+TEUBNER RESEARCH Andreas Stadler Analysen für Chalkogenid Dünnschicht Solarzellen Theorie und Experimente VIEWEG+TEUBNER RESEARCH BibliografischeInformationder Deutschen Nationalbibliothek DieDeutsche Nationalbibliothekverzeichnet diesePublikation in der DeutschenNationalbibfiograne;detailliertebibliografischeDaten sind im Internetüber <http://dnb.d-nb.de:> abrufbar. 1.AUflage2010 AlleRechtevorbehalten ©Vieweg+Teubner I GVNFachverlageGmbH,Wiesbaden2010 Lektorat: UteWrasmann I SabineSchöller Vieweg+Teubnerist TeilderFachverlagsgruppe SpringerSeience-Business Media. www.viewegteubner.de DasWerkeinschließlichaller seinerTeileisturheberrechtlichgeschützt. JedeVerwertung außerhalbderengenGrenzendesUrheberrechtsgeset zesist ohne Zustimmung des Verlags unzulässig und strafbar.Dasgilt insbesonderefürVervieltältigungen,Übersetzungen, Mikroverfilmungen <.' unddieEinspeicherungundVerarbeitung inelektronischenSystemen. Die Wiedergabe von Gebrauchsnamen, Handelsnamen, Warenbezeichnungen usw. in diesemWerk berechtigt auch ohne besondere Kennzeichnungnicht zuderAnnahme,dass solche Namen im Sinne der Warenzeichen- und Markenschutz-Gesetzgebung als frei zu betrachtenwärenunddahervonjedermann benutzt werdendürften. Umschlaggestaltung: KünkelLopkaMedienentwicklung,Heidelberg Druck und buchbinderischeVerarbeitung:STRAUSSGMBH,Mörlenbach Gedruckt auf säurefreiemund chlorfreigebleichtem Papier. PrintedinGermany ISBN 978-3-8348-0993-3 I AnalysenfürChalkogenid-Dünnschicht-Solarzellen 5 1 Inhalt 2 Einleitung 7 2.1 DieNutzungdesSonnenlichts 7 2.2 Literaturzur Einleitung 10 3 Theorie 11 3.1 OptischeGrundlagenfürGrenzflächenundVoluminavonFestkörpern 11 3.1.1 Transmissions-tund Reflexionskoeffizientenr 11 3.1.2 Transmissions-T,Absorptions-AundReflexionsgradeR 21 3.2 UVjVisjNIR-SpektroskopieanEin-undZwei-Schicht-Systemen 34 3.2.1 PhysikalischeGrößenfürEin-Schicht-Systeme 34 3.2.2 DaserweiterteEin-Schicht-System 56 3.2.3 DasexakteZwei-Schichten-System 61 3.2.4 GrundlegendeszumVermessenvonMehr-Als-Zwei-Schichten-Systemen 67 3.3 DerVergleichmitdemKeradecjSwanepoel-Modell 67 3.3.1 ParameterdesSubstrats 67 3.3.2 DiewellenlängenabhängigeTransmissionsrateT(nsch,asch,dsch)nachKeradec 68 3.3.3 Brechungsindexnsa,undAbsorptionskoeffizientaSchnachSwanepoel 71 3.4 QuantenmechanischesModell 77 3.4.1 Quantenmechanisches ModellfüreinEin-Schicht-System 77 3.4.2 QuantenmechanischesModellfürZwei-Schichten-Systeme 82 3.5 ElektrischeBestimmungdesspezifischenWiderstandesdünnerSchichten 84 3.5.1 Van-der-PauwMethode 84 3.5.2 Lineare Vier-Spitzen-Methode 86 3.5.3 Zwei-Spitzen-Methode 88 3.5.4 EinflussdesSubstratsund derMeßspitzen 90 3.6 Dotierstoftkonzentrationen,Beweglichkeitenund Stoßzeiten 90 3.6.1 Dotierstoftkonzentrationenn,pund EnergieniveausE 90 3.6.2 Beweglichkeit1.1undStoßzeit" 99 3.7 Strom-Spannungs-MessungenanSolarzellen 103 3.7.1 TheoretischeStrom-Spannungs-Kennlinieund Ersatzschaltbild 103 3.7.2 Einflussdes LichtspektrumsaufdieI(U)-Kennlinie 110 6 IEinleitung 3.7.3 Alterung 117 3.8 LiteraturzurTheorie 119 4 Experimente 121 4.1 DasMaterialsystemderSulfide 121 4.1.1 AllgemeineszuSulfidenfürdiePhotovoltaik 121 4.1.2 AuswahlderMaterialien,ProduktionsverfahrenundAnalysemethoden 122 4.1.3 UntersuchteMaterialien 123 4.2 UV/Vis/NlR-SpektroskopieantransparentenundopakenSchichten 125 4.2.1 TransparenteisolierendeGlas-und BSG-Substrate 125 4.2.2 Transparente,leitendeOxideTCO(TransparentConductingOxides) 127 4.2.3 Opake,absorbierendeSulfide 141 4.3 ElektrischeBestimmungdesspezifischenSchichtwiderstandes 157 4.3.1 AluminiumdotierteZinkoxid(ZnO:AI)Schichten 158 4.3.2 Zinnsulfid (Sn,Sy)Schichten 159 4.4 Strom-Spannungs-MessungenanSolarzellen 161 4.4.1 SolarzellenmitZinnsulfid Sn.S,Absorberschichten 161 4.5 LiteraturzudenErgebnissen 174 5 Zusammenfassung 181 5.1 ZusammenfassungderErgebnisse 181 5.2 LiteraturzurZusammenfassung 190 6 Anhänge 191 AnhangA:ExaktesLöseneinesPolynoms3.Grades 191 AnhangB:ExaktesLöseneines Polynoms4.Grades 195 AnhangC:PerkinEimerLambda750 UV/Vis/NIRSpektrometer 197 Anhang D:Strom-Spannungs-MeßplatzmitSonnensimulator 199 AnhangE:Verbindungen,ausschließlichmitZinkZnund Sauerstoff0,entsprechendder InorganicCrystalStructureDatabaselCSD2009/1 201 AnhangF:Verbindungen,ausschließlichmitZinkZn,Sauerstoff0undAluminiumAl entsprechendderlnorganicCrystalStructureDatabaseICSD2009/1.. 203 AnhangG:Verbindungen,ausschließlichmitZinkZn,Sauerstoff0,StickstoffNundAluminium Alentsprechendder InorganicCrystalStructureDatabaselCSD2009/1 204 AnhangH:Verbindungen,ausschließlichmitZinnSnundSchwefelS,entsprechendder InorganicCrystalStructureDatabaselCSD2009/1 205 Anhang I:Verbindungen,ausschließlichmitBismutBiund SchwefelS,entsprechendder InorganicCrystalStructureDatabaselCSD2009/1 206 7 Schlagwortverzeichnis 207 AnalysenfürChalkogenid-Dünnschiclit-Solarzellen 17 2 Einleitung 2.1 DieNutzungdesSonnenlichts Sonne.Sieistdas Zentralgestirn unseres Planetensystems.das nachihrSonnensystemgenannt wird. DieSonne ist fürdieErdevon fundamentaler Bedeutung.Vielewichtige Prozesseaufder Erdoberfläche,wiedasKlimaunddasLebenselbst. wärenohnedieStrahlungsenergiederSonne nichtdenkbar.Sostammenetwa99,98 %des gesamten Energiebeitragszum Erdklimavonder Sonne, der winzige Rest wird aus geothermalen Wärmequellen gespeist. AmAquator ist die Sonnencinstrahlungamstärksten,sienimmtzuden Polen hinetwasab.Zudemistsieabhängig vonTages-uod)abres-,;('it- Zuwendung der Erdobernäcbezurh-,;w.AbwendungvonderSonne, vgl. Abb. Z.l, und der Erdatmosphäre - witlerungshedingter optischer Widerstand für das Sonnenlicht,vgl.Tab.Z.1. DieLuftmasse(airmass,AM),welchedieSonnenstrahlenbeiwolkenfreiemHimmeldurchlaufenmüssen umaufdieErdoberflächezugelangen.istalsoVonderTage."undlahreszeitabhängig:d.h.ahhängigVom ElnfallswinkcljedesSonnenlichtszurBrdobertlachc.DereinemEinfallswinkellsentsprechendeAM· WertlässtsichüherAM= I/Sillr, herechnen.AM" Dist definiertfür dasSpektrumaußerhalbder Erdatmosphäre (extraterrestrisches Spektrum) im Weltraum. Die Strahlungsleistungsdichte beträgt dort pe " 1367 WJm' (Solarkonstante). AM" 1 erhält man für das Spektrum der senkrechtaufdie Erdoberfläche fallenden Sonnenstrahlen,d.h.dieSonne mussdafürgcnauim Zenit stehen, r, = 90·, AM= i/sillr, =1. DieStrahlen legen hierbeiden kürzestenWegdurch dieAtmosphäre zurErdoberflächezurück.FürAM" 1.5ergibtsicheinZenitwinkelvonetwa rs" 41,S·, Die gesamte Strahlungsleistungsdichte des entsprechenden Spektrums beträgt hierbei .• PE"'. " 1000WJm'.vgl.Abb.2.1.AusdiesemGrunde wurdeAM" 1,5alsStandardwertfürdie vcrmcssungvonSolarmoduleneingeführt , , .' 'MO r~,.3,O r,~.. 1~.$ I 8 Einleitung Abb. 2.1: DieLuftma"e (air ma". AM) welche die Sonnemtrahlen durchlaufen mü"en umaufdie ErdoberflächezugelangenIstvonTages-und labreszeit abhängig.Diederlabreszeitzugeordneten AM· WerteerrechnensichausdemEinfallswinkely.überAM= l/sinys' Tab.2.1:StrahlungsleistungsdichtePE"'.(AM1.S)desSonnenhchtsaufderErdoberfläcbeinAbhängigkeit von der Bewölkung.d,h, in Abhängigkeit vom opllschen Widerstand. den die Atmospbäre für das SonnenlichtaufseinemWegZurErdoberflächedarstellt[2.1]. .... Wm" Sonnenschein leichtbewölkt slarkbewölkt SommH 600...1000 300...600 100...300 Winter 300..,500 150...300 50 ...150 Sonnenstrahlen. die aufdie Erdoberfläche treffen können reflektiert, absorbiertodermitunter auch transmittiert werden. Reflektierter und transmittierter Anteil passieren wiederholt die Atmosphäre und machen somit unseren Planeten Erde im Weltall sichtbar. Der absorbierte Anteilermöglicht aufder Erde Leben. So nutzen die Pflanzen mit ihren ganz unterschiedlich ausgebildetenBlätterndasSonnenlichtfür ihrWachstum(Photosynthese).FürunsMenschenist esvontechnologischemund wirtschaftlichemInteressedieoptischeEnergiedesSonnenlichts in andereEnorgteforruon.wiemochamscbc-.thermische-oderelektrischeEnergieumzuwandeln. . ) , b) 10 ccccse, 10' s " ",m.r , 10 10' 1.' 2 2.' Ein eV I AnalysenfürChalkogenid-Dünnschicht-Solarzellen 9 Abb.2.2:a) SiliziumSolarzellen.b)AbsorptionskoeffizientenverschiedenerAbsorbermaterialien.nach [2.2].ZusehensindsowohlderreineHalbleiterSilizium (Si)alsauchdieVerbindungshalbleiter(GaAs, CuGaSe,undCulnSe,). Inder Photovoltaik,d.h.imFallder Wandlungvonoptischer-inelektrische Energie,verwendet man La.reine Halbleiter (z.B.SiliziumSi)oder Verbindungshalbleiter (z.B.Galliumarsenid GaAs oderCulrrSe-]. Bekannt ist bereits die CI(G)S-Technologie, die primär auf chemischen Verbindungen von Kupfer,Indium(Gallium) und wahlweiseSchwefeloderSelensowieeinigenweiterenElementen basiert.Hierander Universität inSalzburgwerdendiephotovoltaischen Eigenschaftenan einer anderenGruppechalkogenerVerbindungshalbleitererforscht,den Sulfosalzen.FürdieAuswahl der Materialkombinationen und die Herstellung des Ausgangsmaterials ist Prof. Dr. Herbert Dittrich verantwortlich. Die Produktion der Schichten und Solarzellen mit in situ Sputterprozessen übernahm Dr. Hermann-Josef Schimper (DI Uwe Brendel). Dr. Dan Topa analysiert die atomaren Strukturen der Sulfosalz Dünnschichten. worauf hier nicht weiter eingegangen werden soll. Der Autor bedankt sich für die Unterstützung durch die Christian Doppler Forschungsgesellschaft. Dieses Buch befasst sich mit der optoelektrischen Analyse von transparenten und opaken Schichten und der damit hergestellten Solarzellen.Theoretisch werden die Analyseverfahren UV/Vis/NIR Spektroskopie (Spektroskopie im ultravioletten, im sichtbaren und im nahen infraroten Wellenlängenbereich), elektrische Schichtwiderstandsmessung und I(U) Messung (Strom-Spannungs Messung) für Solarzellen nachvollziehbar erarbeitet. Hiermitwird dann für dieTCO-Schicht (TransparentConductingOxide) aluminiumdotiertes Zinkoxid(ZnO:AI)und für die binären Sulfid-Absorberschichten Zinn- (SnS) und Bismutsulfid (BhS3) eine Auswahl experimentellerErgebnissebeispielhaftanalysiert. 10 IEinleitung 2.2 LiteraturzurEinleitung [2.1] Wikipedia- Diefreie Enzyklopädie,http://de.wikipedia.org/wikijSonnenschein,2009. [2.2] D.Meissner,Solarzellen,ISBN3528065184,Vieweg,1993.

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